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參數資料
| 型號： | FQI17N08L |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 80V Logic N-Channel MOSFET(漏源電壓為80V的邏輯N溝道增強型MOS場效應管) |
| 中文描述： | 16.5 A, 80 V, 0.115 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262 |
| 封裝： | I2PAK-3 |
| 文件頁數： | 3/9頁 |
| 文件大小： | 618K |
| 代理商： | FQI17N08L |
F
Rev. A2, August 2000
2000 Fairchild Semiconductor International
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
= 40V
V
DS
= 64V
※
Note : I
D
= 16.5A
V
G
,
Q
G
, Total Gate Charge [nC]
10
-1
10
0
10
1
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
1100
C
iss
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
= shorted)
C
oss
= C
ds
+ C
gd
C
rss
= C
gd
※
Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. f = 1 MHz
C
rss
C
oss
C
iss
C
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0.2
0.4
0.6
V
SD
, Source-Drain Voltage [V]
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
10
-1
10
0
10
1
25
℃
175
℃
※
Notes :
1. V
GS
= 0V
2. 250
μ
s Pulse Test
I
D
0
10
20
30
40
50
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
※
Note : T
J
= 25
℃
V
GS
= 10V
V
GS
= 5V
R
D
]
D
I
D
, Drain Current [A]
0
2
4
6
8
10
10
-1
10
0
10
1
※
Notes :
1. V
DS
= 25V
2. 250
μ
s Pulse Test
-55
℃
175
℃
25
℃
I
D
V
GS
, Gate-Source Voltage [V]
10
-1
10
0
10
1
10
0
10
1
V
GS
Top : 10.0 V
8.0 V
6.0 V
5.0 V
4.5 V
4.0 V
3.5 V
Bottom : 3.0 V
※
Notes :
1. 250
μ
s Pulse Test
2. T
C
= 25
℃
I
D
,
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
Typical Characteristics
Figure 5. Capacitance Characteristics
Figure 6. Gate Charge Characteristics
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
Figure 2. Transfer Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQI17P10 | 100V P-Channel MOSFET |
| FQI17N08 | 80V N-Channel MOSFET |
| FQI17P06 | GIGATRUE 550 CAT6 PATCH 30 FT, SNAGLESS, GRAY |
| FQI19N10L | 100V Logic N-Channel MOSFET(漏源電壓為100V的邏輯N溝道增強型MOS場效應管) |
| FQB19N10L | 100V Logic N-Channel MOSFET(漏源電壓為100V的邏輯N溝道增強型MOS場效應管) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FQI17N08LTU | 功能描述:MOSFET 80V N-Channel QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQI17N08TU | 功能描述:MOSFET 80V N-Channel QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQI17N40TU | 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQI17P06 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:60V P-Channel MOSFET |
| FQI17P06TU | 功能描述:MOSFET -60V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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