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參數資料
型號: FQI17N08L
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: JFETs
英文描述: 80V Logic N-Channel MOSFET(漏源電壓為80V的邏輯N溝道增強型MOS場效應管)
中文描述: 16.5 A, 80 V, 0.115 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262
封裝: I2PAK-3
文件頁數: 5/9頁
文件大?。?/td> 618K
代理商: FQI17N08L
F
Rev. A2, August 2000
2000 Fairchild Semiconductor International
Charge
V
GS
5V
Q
g
Q
gs
Q
gd
3mA
V
GS
DUT
V
DS
300nF
50K
Ω
200nF
12V
as DUT
Same Type
V
GS
V
DS
10%
90%
t
d(on)
t
r
t
on
t
off
t
d(off)
t
f
V
DD
5V
V
DS
R
L
DUT
R
G
V
GS
E
AS
=
LI
AS2
-1
2
BV
DSS
- V
DD
BV
V
DD
V
DS
BV
DSS
t
p
V
DD
I
AS
V
DS
(t)
I
D
(t)
Time
10V
DUT
R
G
L
I
D
t
p
-1
----
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Gate Charge Test Circuit & Waveform
Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveforms
相關PDF資料
PDF描述
FQI17P10 100V P-Channel MOSFET
FQI17N08 80V N-Channel MOSFET
FQI17P06 GIGATRUE 550 CAT6 PATCH 30 FT, SNAGLESS, GRAY
FQI19N10L 100V Logic N-Channel MOSFET(漏源電壓為100V的邏輯N溝道增強型MOS場效應管)
FQB19N10L 100V Logic N-Channel MOSFET(漏源電壓為100V的邏輯N溝道增強型MOS場效應管)
相關代理商/技術參數
參數描述
FQI17N08LTU 功能描述:MOSFET 80V N-Channel QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQI17N08TU 功能描述:MOSFET 80V N-Channel QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQI17N40TU 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQI17P06 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:60V P-Channel MOSFET
FQI17P06TU 功能描述:MOSFET -60V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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