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參數資料
| 型號： | FQI22P10 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 100V P-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 22 A, 100 V, 0.125 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, I2PAK-3 |
| 文件頁數： | 1/9頁 |
| 文件大小： | 773K |
| 代理商： | FQI22P10 |
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQB22N30 | 300V N-Channel MOSFET(漏源電壓為300V的N溝道增強型MOS場效應管) |
| FQI22N30 | 300V N-Channel MOSFET(漏源電壓為300V的N溝道增強型MOS場效應管) |
| FQI26N03L | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 26A I(D) | TO-263 |
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| FQI33N10 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 33A I(D) | TO-262AA |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FQI24N08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:80V N-Channel MOSFET |
| FQI26N03L | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 26A I(D) | TO-263 |
| FQI26N03LTU | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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| FQI27N25TU | 功能描述:MOSFET 250V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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