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參數(shù)資料
型號: FQI2P25
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: JFETs
英文描述: 250V P-Channel MOSFET
中文描述: 2.3 A, 250 V, 4 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262
封裝: I2PAK-3
文件頁數(shù): 4/9頁
文件大小: 559K
代理商: FQI2P25
2000 Fairchild Semiconductor International
F
Rev. A, April 2000
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-2
10
-1
10
0
N otes :
1. Z
2. D uty F a ctor, D =t
1
/t
2
3. T
J M
- T
C
= P
D M
* Z
J C
(t) = 2.4
/W M ax.
J C
(t)
sing le pu lse
D = 0.5
0 .02
0 .01
0 .2
0 .05
0 .1
Z
J
(
t
1
, S q u a re W a ve P u lse D u ra tio n [se c]
25
50
75
100
125
150
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
-
D
,
T
C
, Case Temperature [ ]
10
0
10
1
10
2
10
-2
10
-1
10
0
10
1
DC
10 ms
1 ms
100
μ
s
Operation in This Area
is Limited by R
DS(on)
Notes :
1. T
C
= 25
2. T
= 150
3. Single Pulse
o
C
o
C
-
D
,
-V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
-100
-50
0
50
100
150
200
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
Notes :
1. V
= -10 V
2. I
D
= -1.15 A
R
D
,
D
T
J
, Junction Temperature [
o
C]
-100
-50
0
50
100
150
200
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
Notes :
1. V
= 0 V
2. I
D
= -250 A
-
D
,
D
T
J
, Junction Temperature [
o
C]
Typical Characteristics
(Continued)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
t
1
P
DM
t
2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FQB2P25 250V P-Channel MOSFET
FQI2P40 400V P-Channel MOSFET
FQB2P40 400V P-Channel MOSFET
FQI30N06L 60V Logic N-Channel MOSFET(漏源電壓為60V的邏輯N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管)
FQB30N06L 60V Logic N-Channel MOSFET(漏源電壓為60V的邏輯N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FQI2P25TU 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQI2P40 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:400V P-Channel MOSFET
FQI2P40TU 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQI30N06 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:60V N-Channel MOSFET
FQI30N06L 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 32A I(D) | TO-262AA
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