- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄375885 > FQI30N06L (FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP) 60V Logic N-Channel MOSFET(漏源電壓為60V的邏輯N溝道增強型MOS場效應管) PDF資料下載
參數資料
| 型號： | FQI30N06L |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 60V Logic N-Channel MOSFET(漏源電壓為60V的邏輯N溝道增強型MOS場效應管) |
| 中文描述： | 32 A, 60 V, 0.045 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, I2PAK-3 |
| 文件頁數： | 7/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 779K |
| 代理商： | FQI30N06L |
10.00
±
0.20
10.00
±
0.20
(8.00)
(4.40)
1.27
±
0.10
0.80
±
0.10
0.80
±
0.10
(2XR0.45)
9.90
±
0.20
4.50
±
0.20
0.10
±
0.15
2.40
±
0.20
2
±
0
1
±
0
9
±
0
4
±
0
1
±
0
2
±
0
(
(
(
0
°
~3
°
0.50
+0.10
1
±
0
9
±
0
1
±
0
4
±
0
(
2.54 TYP
2.54 TYP
1.30
+0.10
–0.05
–0.05
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQB30N06L | 60V Logic N-Channel MOSFET(漏源電壓為60V的邏輯N溝道增強型MOS場效應管) |
| FQI30N06 | 60V N-Channel MOSFET(漏源電壓為60V的N溝道增強型MOS場效應管) |
| FQB30N06 | 60V N-Channel MOSFET(漏源電壓為60V的N溝道增強型MOS場效應管) |
| FQI32N12V2 | 120V N-Channel MOSFET |
| FQB32N12V2 | 120V N-Channel MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FQI30N06LTU | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQI32N12V2 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:120V N-Channel MOSFET |
| FQI32N12V2TU | 功能描述:MOSFET 120V N-Ch Adv QFET V2 series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQI32N20C | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V N-Channel MOSFET |
| FQI32N20CTU | 功能描述:MOSFET 200V N-Channel Adv Q-FET C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。