- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄375879 > FQI5P20 (FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP) 200V P-Channel MOSFET(漏源電壓為-200V的P溝道增強型MOSFET) PDF資料下載
參數資料
| 型號： | FQI5P20 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 200V P-Channel MOSFET(漏源電壓為-200V的P溝道增強型MOSFET) |
| 中文描述： | 4.8 A, 200 V, 1.4 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA |
| 封裝： | I2PAK-3 |
| 文件頁數： | 8/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 631K |
| 代理商： | FQI5P20 |
2000 Fairchild Semiconductor International
F
Rev. A, May 2000
Package Dimensions
(Continued)
9.90
±
0.20
2.40
±
0.20
4.50
±
0.20
1.27
±
0.10
1.47
±
0.10
(45
°
)
0.80
±
0.10
10.00
±
0.20
2.54 TYP
2.54 TYP
1
±
0
9
±
0
1
±
0
1
±
0
M
M
(
(
(
1.30
+0.10
–
0.05
0.50
+0.10
–
0.05
I
2
PAK
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQB60N03L | N-Channel Logic Level PWM Optimized Power MOSFET |
| FQB6N50 | 500V N-Channel MOSFET |
| FQI6N50 | 500V N-Channel MOSFET |
| FQB6N60C | 600V N-Channel MOSFET |
| FQI6N60C | 600V N-Channel MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FQI5P20TU | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQI60N03L | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 60A I(D) | TO-262AA |
| FQI60N03LTU | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQI630 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V N-Channel MOSFET |
| FQI65N06 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:60V N-Channel MOSFET |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。