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參數資料
型號: FQI630
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: JFETs
英文描述: 200V N-Channel MOSFET
中文描述: 9 A, 200 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262
封裝: I2PAK-3
文件頁數: 6/9頁
文件大小: 759K
代理商: FQI630
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PDF描述
FQB630 200V N-Channel MOSFET
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FQI6N15TU 功能描述:MOSFET N-CH/150V/6.3A/0.65OHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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FQI6N40 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:400V N-Channel MOSFET
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