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參數(shù)資料
| 型號： | FQI630 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 200V N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 9 A, 200 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262 |
| 封裝： | I2PAK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 8/9頁 |
| 文件大小： | 759K |
| 代理商： | FQI630 |
9.90
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2.54 TYP
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQB630 | 200V N-Channel MOSFET |
| FQI65N06 | 60V N-Channel MOSFET |
| FQB65N06 | 60V N-Channel MOSFET |
| FQI6N15 | 150V N-Channel MOSFET |
| FQB6N15 | 150V N-Channel MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FQI65N06 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:60V N-Channel MOSFET |
| FQI6N15 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:150V N-Channel MOSFET |
| FQI6N15TU | 功能描述:MOSFET N-CH/150V/6.3A/0.65OHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQI6N25 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:250V N-Channel MOSFET |
| FQI6N40 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:400V N-Channel MOSFET |
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