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參數資料
| 型號： | FQI6N60C |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 600V N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 5.5 A, 600 V, 2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | I2PAK-3 |
| 文件頁數： | 4/9頁 |
| 文件大小： | 680K |
| 代理商： | FQI6N60C |
Rev. A, March 2004
F
2004 Fairchild Semiconductor Corporation
Typical Characteristics
(Continued)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
Figure 10. Maximum Drain Current
vs Case Temperature
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs Temperature
Figure 8. On-Resistance Variation
vs Temperature
-100
-50
0
50
100
150
200
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
Notes :
※
1. V
= 0 V
2. I
D
= 250 μA
B
D
,
D
T
J
, Junction Temperature [
o
C]
25
50
75
100
125
150
0
1
2
3
4
5
I
D
,
T
C
, Case Temperature [ ]
℃
10
0
10
1
10
2
10
3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
100 ms
DC
10 ms
1 ms
100
μ
s
Operation in This Area
is Limited by R
DS(on)
Notes :
※
1. T
C
= 25
2. T
= 150
3. Single Pulse
o
C
o
C
I
D
,
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
-100
-50
0
50
100
150
200
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
Notes :
※
1. V
= 10 V
2. I
D
= 2.5 A
R
D
,
D
T
J
, Junction Temperature [
o
C]
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-2
10
-1
10
0
Notes :
1. Z
(t) = 1.00
2. Duty Factor, D=t
1
/t
2
3. T
JM
- T
C
= P
DM
* Z
θ
JC
(t)
※
/W Max.
℃
single pulse
D=0.5
0.02
0.01
0.2
0.05
0.1
Z
θ
(
t
1
, Square Wave Pulse Duration [sec]
t
1
P
DM
t
2
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQB6N60 | 600V N-Channel MOSFET(漏源電壓為600V的N溝道增強型MOSFET) |
| FQI6N60 | 600V N-Channel MOSFET(漏源電壓為600V的N溝道增強型MOSFET) |
| FQB6N70 | 700V N-Channel MOSFET |
| FQI6N70 | 700V N-Channel MOSFET |
| FQB70N10 | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FQI6N60CTU | 功能描述:MOSFET 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQI6N70 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:700V N-Channel MOSFET |
| FQI6N70TU | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQI6N80 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:800V N-Channel MOSFET |
| FQI6N90 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:900V N-Channel MOSFET |
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