- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄375880 > FQI7N20 (FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP) 200V N-Channel MOSFET(漏源電壓為200V的N溝道增強型MOSFET) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | FQI7N20 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 200V N-Channel MOSFET(漏源電壓為200V的N溝道增強型MOSFET) |
| 中文描述： | 6.6 A, 200 V, 0.69 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262 |
| 封裝： | I2PAK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 5/9頁 |
| 文件大小： | 691K |
| 代理商： | FQI7N20 |
70
#-
70
30
//8
/9
//8
.
70
30
/4
:/4
33
30
)
7
70
-0
-0
300
33
300
33
30
300
33
-0
30
3
7
3
#01&$
"!#01&$
2$3"!#01&$
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQB7N30 | 300V N0Channel MOSFET |
| FQI7N30 | 300V N0Channel MOSFET |
| FQB7N40 | 400V N-Channel MOSFET(漏源電壓為400V的N溝道增強型MOSFET) |
| FQI7N40 | 400V N-Channel MOSFET(漏源電壓為400V的N溝道增強型MOSFET) |
| FQB7N60 | 600V N-Channel MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FQI7N20L | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V LOGIC N-Channel MOSFET |
| FQI7N20LTU | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQI7N20TU | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQI7N30 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:300V N0Channel MOSFET |
| FQI7N40 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:400V N-Channel MOSFET |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。