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參數資料
| 型號： | FQI8P10 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 100V P-Channel MOSFET(漏源電壓為-100V的P溝道增強型MOSFET) |
| 中文描述： | 8 A, 100 V, 0.53 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA |
| 封裝： | I2PAK-3 |
| 文件頁數： | 4/9頁 |
| 文件大小： | 539K |
| 代理商： | FQI8P10 |
2000 Fairchild Semiconductor International
F
Rev. A, August 2000
25
50
75
100
125
150
175
0
2
4
6
8
10
-
D
,
T
C
, Case Temperature [
℃
]
10
0
10
1
10
2
10
-1
10
0
10
1
10
2
DC
10 ms
1 ms
100
μ
s
Operation in This Area
is Limited by R
DS(on)
※
Notes :
1. T
C
= 25
2. T
J
= 175
3. Single Pulse
o
C
o
C
-
D
,
-V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
-100
-50
0
50
100
150
200
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
※
Notes :
1. V
= -10 V
2. I
D
= -4.0 A
R
D
,
D
T
J
, Junction Temperature [
o
C]
-100
-50
0
50
100
150
200
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
※
Notes :
1. V
= 0 V
2. I
D
= -250
μ
A
-
D
,
D
T
J
, Junction Temperature [
o
C]
Typical Characteristics
(Continued)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
t
1
P
DM
t
2
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| FQB9N08L | 80V LOGIC N-Channel MOSFET |
| FQI9N08 | 80V N-Channel MOSFET(漏源電壓為80V的N溝道增強型MOSFET) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| FQI90N08TU | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQI95N03L | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 95A I(D) | TO-262AA |
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