- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄375886 > FQI95N03L (FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP) 30V LOGIC N-Channel MOSFET(漏源電壓為30V的邏輯N溝道增強型MOSFET) PDF資料下載
參數資料
| 型號： | FQI95N03L |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 30V LOGIC N-Channel MOSFET(漏源電壓為30V的邏輯N溝道增強型MOSFET) |
| 中文描述： | 95 A, 30 V, 0.0115 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | I2PAK-3 |
| 文件頁數： | 1/9頁 |
| 文件大小： | 802K |
| 代理商： | FQI95N03L |
QFET
! "
# !
! !
!
$
!
""
% &'()*+,
% 12)34
% 1256*4
%
% 0**7!
% 8!!$"
% 09'
°
:;
-* **.'
/+
-0*+
! "
!
!
!
"
"
!!"!"
+
+
)*
+
8
2
-5'<4
&'
(
2
-0**<4
39 5
(
8
=
).*
±
5*
(
+
>+
+
=(!
6**
@
8
(!
&'
(
,!(!
0'
@
!$
=A,!!$
=2
9 *
+$
=
-5'<4B
) 9'
C
=2
-5'<4
0'*
C
"!5'<
0 *
C$<
,
''D09'
<
:
0$.E'
)**
<
,
θ
,
θ
,
θ
,@
0 *
<
C
,@("B
6*
<
C
,@("
35 '
<
C
!
!
!
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQI9N08L | 80V LOGIC N-Channel MOSFET(漏源電壓為80V的邏輯N溝道增強型MOSFET) |
| FQB9N08L | 80V LOGIC N-Channel MOSFET |
| FQI9N08 | 80V N-Channel MOSFET(漏源電壓為80V的N溝道增強型MOSFET) |
| FQI9N50C | 500V N-Channel MOSFET |
| FQB9N50C | 500V N-Channel MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FQI95N03LTU | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQI9N08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:80V N-Channel MOSFET |
| FQI9N08L | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:80V LOGIC N-Channel MOSFET |
| FQI9N08LTU | 功能描述:MOSFET 80V N-Channel QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQI9N08TU | 功能描述:MOSFET 80V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。