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參數資料
型號: FQI95N03L
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: JFETs
英文描述: 30V LOGIC N-Channel MOSFET(漏源電壓為30V的邏輯N溝道增強型MOSFET)
中文描述: 95 A, 30 V, 0.0115 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝: I2PAK-3
文件頁數: 9/9頁
文件大小: 802K
代理商: FQI95N03L
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相關PDF資料
PDF描述
FQI9N08L 80V LOGIC N-Channel MOSFET(漏源電壓為80V的邏輯N溝道增強型MOSFET)
FQB9N08L 80V LOGIC N-Channel MOSFET
FQI9N08 80V N-Channel MOSFET(漏源電壓為80V的N溝道增強型MOSFET)
FQI9N50C 500V N-Channel MOSFET
FQB9N50C 500V N-Channel MOSFET
相關代理商/技術參數
參數描述
FQI95N03LTU 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQI9N08 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:80V N-Channel MOSFET
FQI9N08L 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:80V LOGIC N-Channel MOSFET
FQI9N08LTU 功能描述:MOSFET 80V N-Channel QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQI9N08TU 功能描述:MOSFET 80V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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