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參數資料
| 型號： | FQI9N50 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 64 Megabit, 3.0 Volt-Only Page Mode Flash Memory |
| 中文描述： | 9 A, 500 V, 0.73 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262 |
| 封裝： | I2PAK-3 |
| 文件頁數： | 8/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 718K |
| 代理商： | FQI9N50 |
9.90
±
0.20
2.40
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(45
°
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2.54 TYP
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQB9N50 | 500V N-Channel MOSFET |
| FQD10N20C | 200V N-Channel MOSFET |
| FQU10N20C | 200V N-Channel MOSFET |
| FQD10N20 | CAP 3900PF 50V 1% NP0(C0G) DIP-2 TUBE-PAK R-MIL-PRF-39014/22 |
| FQU10N20 | CAP 6800PF 50V 1% NP0(C0G) DIP-2 TUBE-PAK R-MIL-PRF-39014/22 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FQI9N50C | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:500V N-Channel MOSFET |
| FQI9N50CTU | 功能描述:MOSFET 500V N-Channel Adv Q-FET C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQI9N50TU | 功能描述:MOSFET 500V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQI9P25 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:250V P-Channel MOSFET |
| FQI9P25TU | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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