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參數資料
| 型號： | FQN1N50C |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 500V N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 380 mA, 500 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92 |
| 封裝： | TO-92, 3 PIN |
| 文件頁數： | 4/8頁 |
| 文件大小： | 1026K |
| 代理商： | FQN1N50C |
4
www.fairchildsemi.com
FQN1N50C Rev. A
F
Typical Performance Characteristics
(Continued)
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
-100
-50
0
50
100
150
200
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
Notes :
※
1. V
= 0 V
2. I
D
= 250 μA
B
D
,
D
T
J
, Junction Temperature [
o
C]
-100
-50
0
50
100
150
200
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
Notes :
※
1. V
GS
= 10 V
2. I
D
= 0.19 A
R
D
,
D
T
J
, Junction Temperature [
o
C]
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
25
50
75
100
125
150
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
I
D
,
T
C
, Case Temperature [ ]
℃
10
0
10
1
10
2
10
3
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
100 ms
1 ms
10
μ
s
DC
10 ms
100
μ
s
Operation in This Area
is Limited by R
DS(on)
Notes :
※
1. T
C
= 25
2. T
J
= 150
3. Single Pulse
o
C
o
C
I
D
,
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
10
-1
10
0
10
1
10
2
Notes :
1. Z
θ
JL
(t) = 60
2. Duty Factor, D = t
1
/t
2
3. T
JM
- T
L
= P
DM
* Z
qJC
(t)
※
/W M ax.
℃
single pulse
D=0.5
0.02
0.01
0.2
0.05
0.1
Z
θ
(
t
1
, Square W ave Pulse Duration [sec]
t
1
P
DM
t
2
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQN1N60C | 600V N-Channel MOSFET |
| FQNL1N50B | 500V N-Channel MOSFET |
| FQNL2N50B | 500V N-Channel MOSFET |
| FQP10N20C | 200V N-Channel MOSFET |
| FQPF10N20C | 200V N-Channel MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FQN1N50CBU | 功能描述:MOSFET N-CH/400V/5 A/.75OHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQN1N50CTA | 功能描述:MOSFET N-CH/400V/5 0A/0.075OHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQN1N60C | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:600V N-Channel MOSFET |
| FQN1N60CBU | 功能描述:MOSFET 600V NCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQN1N60CTA | 功能描述:MOSFET 600V NCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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