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參數資料
| 型號： | FQN1N50C |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 500V N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 380 mA, 500 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92 |
| 封裝： | TO-92, 3 PIN |
| 文件頁數： | 6/8頁 |
| 文件大小： | 1026K |
| 代理商： | FQN1N50C |
6
www.fairchildsemi.com
FQN1N50C Rev. A
F
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQN1N60C | 600V N-Channel MOSFET |
| FQNL1N50B | 500V N-Channel MOSFET |
| FQNL2N50B | 500V N-Channel MOSFET |
| FQP10N20C | 200V N-Channel MOSFET |
| FQPF10N20C | 200V N-Channel MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FQN1N50CBU | 功能描述:MOSFET N-CH/400V/5 A/.75OHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQN1N50CTA | 功能描述:MOSFET N-CH/400V/5 0A/0.075OHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQN1N60C | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:600V N-Channel MOSFET |
| FQN1N60CBU | 功能描述:MOSFET 600V NCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQN1N60CTA | 功能描述:MOSFET 600V NCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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