| 型號： | FQN1N60CBU |
| 廠商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件頁數(shù)： | 2/8頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 0.3A TO-92 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 1,000 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn)： | 標(biāo)準(zhǔn) |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 600V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： | 300mA |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 11.5 歐姆 @ 150mA，10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 6.2nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： | 170pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安裝類型： | 通孔 |
| 封裝/外殼： | TO-226-3、TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | TO-92-3 |
| 包裝： | 散裝 |