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參數(shù)資料
型號: FQN1N60CBU
廠商: Fairchild Semiconductor
文件頁數(shù): 8/8頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 600V 0.3A TO-92
標準包裝: 1,000
系列: QFET™
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 標準
漏極至源極電壓(Vdss): 600V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 300mA
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 11.5 歐姆 @ 150mA,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 6.2nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 170pF @ 25V
功率 - 最大: 1W
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: TO-226-3、TO-92-3 標準主體
供應(yīng)商設(shè)備封裝: TO-92-3
包裝: 散裝
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