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參數資料
| 型號： | FQP12N20 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 200V LOGIC N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 11.6 A, 200 V, 0.28 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220 |
| 封裝： | TO-220, 3 PIN |
| 文件頁數： | 7/8頁 |
| 文件大小： | 567K |
| 代理商： | FQP12N20 |
Rev. A1, February 2001
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
F
Package Dimensions
4.50
±
0.20
9.90
±
0.20
1.52
±
0.10
0.80
±
0.10
2.40
±
0.20
10.00
±
0.20
1.27
±
0.10
3.60
±
0.10
(8.70)
2
±
0
1
±
0
1
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1
(
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°
)
9
±
0
1
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0
1
±
0
1.30
+0.10
–0.05
0.50
+0.10
–0.05
2.54TYP
[2.54
±
0.20
]
2.54TYP
[2.54
±
0.20
]
TO-220
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQP12N20L | 200V LOGIC N-Channel MOSFET |
| FQP12N60 | 600V N-Channel MOSFET |
| FQP12P10 | 100V P-Channel MOSFET |
| FQP12P20 | 200V P-Channel MOSFET |
| FQP12N60C | FQP12N60C/FQPF12N60C |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FQP12N20L | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQP12N60 | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQP12N60 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N TO-220 |
| FQP12N60C | 功能描述:MOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQP12N60C_07 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:600V N-Channel MOSFET |
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