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參數資料
| 型號： | FQP19N10L |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 100V LOGIC N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 19 A, 100 V, 0.11 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封裝： | TO-220, 3 PIN |
| 文件頁數： | 7/8頁 |
| 文件大小： | 624K |
| 代理商： | FQP19N10L |
F
Rev. A, August 2000
2000 Fairchild Semiconductor International
Package Dimensions
4.50
±
0.20
9.90
±
0.20
1.52
±
0.10
0.80
±
0.10
2.40
±
0.20
10.00
±
0.20
1.27
±
0.10
3.60
±
0.10
(8.70)
2
±
0
1
±
0
1
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°
)
9
±
0
1
±
0
1
±
0
1.30
+0.10
–0.05
0.50
+0.10
–0.05
2.54TYP
[2.54
±
0.20
]
2.54TYP
[2.54
±
0.20
]
TO-220
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQP19N10 | GIGATRUE CAT6 UNIVERSAL JACK, ORANGE 25 PACK |
| FQP19N20 | 200V N-Channel MOSFET |
| FQP19N20L | 200V LOGIC N-Channel MOSFET |
| FQP1N50 | 500V N-Channel MOSFET |
| FQP1N60 | QFET N-CHANNEL |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FQP19N20 | 功能描述:MOSFET 200V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQP19N20 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N TO-220 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET, N, TO-220 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET, N, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:19.4A; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):120mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:5V; Power Dissipation Pd:140W ;RoHS Compliant: Yes |
| FQP19N20C | 功能描述:MOSFET 200V N-Channel Advance Q-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQP19N20C_F080 | 功能描述:MOSFET Trans MOS N-Ch 200V 19A 3-Pin 3+Tab RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQP19N20C_Q | 功能描述:MOSFET 200V N-Channel Advance Q-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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