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參數資料
型號: FQP2N60C
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: JFETs
英文描述: 600V N-Channel MOSFET
中文描述: 2 A, 600 V, 4.7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝: TO-220, 3 PIN
文件頁數: 5/10頁
文件大小: 830K
代理商: FQP2N60C
Rev. A, September 2003
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
F
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
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-2
10
-1
10
0
N otes :
1. Z
2. D uty Factor, D =t
1
/t
2
3. T
JM
- T
C
= P
D M
* Z
θ
(t) = 5.5
/W M ax.
DM
JC
(t)
sin gle pulse
D =0.5
0.02
0.01
0.2
0.05
0.1
Z
θ
(
t
1
, S quare W ave P ulse D uration [sec]
t
1
t
2
Typical Characteristics
(Continued)
Figure 11-1. Transient Thermal Response Curve for FQP2N60C
Figure 11-2. Transient Thermal Response Curve for FQPF2N60C
10
-5
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-4
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-3
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-2
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-1
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0
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1
10
-2
10
-1
10
0
N otes :
1. Z
2. D uty Factor, D =t
1
/t
2
3. T
JM
- T
C
= P
D M
* Z
θ
(t) = 2.32
/W M ax.
JC
(t)
sin gle p ulse
D =0 .5
0.02
0.01
0.2
0.05
0.1
Z
θ
(
t
1
, S quare W ave P ulse D uration [sec]
t
1
P
DM
t
2
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PDF描述
FQPF2N60C 600V N-Channel MOSFET
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FQP2N80 800V N-Channel MOSFET
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參數描述
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FQP2N80 功能描述:MOSFET 800V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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