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參數資料

型號：	FQP2N60C
廠商：	FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類：	JFETs
英文描述：	600V N-Channel MOSFET
中文描述：	2 A, 600 V, 4.7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝：	TO-220, 3 PIN
文件頁數：	7/10頁
文件大小：	830K
代理商：	FQP2N60C

Rev. A, September 2003

2003 Fairchild Semiconductor Corporation

Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms

DUT

Driver

as DUT

controlled by pulse period

10V

( Driver )

( DUT )

Forward Voltage Drop

, Body Diode Forward Current

Body Diode Reverse Current

Body Diode Recovery dv/dt

di/dt

D =

Gate Pulse Period

-Gate Pulse Width

Same Type

dv/dt controlled by R

Body Diode

相關代理商/技術參數	參數描述
FQP2N60C_Q	功能描述:MOSFET 600V N-Channel Advance Q-FET RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQP2N80	功能描述:MOSFET 800V N-Channel QFET RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQP2N80	制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N TO-220
FQP2N90	功能描述:MOSFET 900V N-Channel QFET RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQP2N90_Q	功能描述:MOSFET 900V N-Channel QFET RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube

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