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參數(shù)資料
| 型號： | FQP5N60C |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 600V N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 4.5 A, 600 V, 2.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封裝： | TO-220, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 5/10頁 |
| 文件大小： | 839K |
| 代理商： | FQP5N60C |
Rev. A, June 2003
F
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-2
10
-1
10
0
※
N otes :
1 . Z
θ
2 . D uty F actor, D = t
1
/t
2
3 . T
J M
- T
C
= P
D M
* Z
θ
(t) = 3.79
℃
/W M ax.
J C
(t)
single p ulse
D =0.5
0 .02
0 .2
0 .05
0 .1
0 .01
Z
θ
J
(
t
1
, S q u a re W a ve P u lse D u ra tio n [se c ]
1 0
-5
1 0
-4
1 0
-3
1 0
-2
1 0
-1
1 0
0
1 0
1
1 0
-2
1 0
-1
1 0
0
※
N o te s :
1 . Z
θ
2 . D u ty F a c to r, D = t
1
/t
2
3 . T
J M
- T
C
= P
D M
* Z
θ
JC
(t) = 1 .2 5
℃
/W M a x.
JC
(t)
sin g le p u lse
D = 0 .5
0 .0 2
0 .0 1
0 .2
0 .0 5
0 .1
Z
θ
J
(
t
1
, S q u a re W a v e P u ls e D u ra tio n [s e c ]
Typical Characteristics
(Continued)
Figure 11-1. Transient Thermal Response Curve for FQP5N60C
Figure 11-2. Transient Thermal Response Curve for FQPF5N60C
t
1
P
DM
t
2
t
1
P
DM
t
2
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQPF5N60C | 600V N-Channel MOSFET |
| FQP5N80 | 800V N-Channel MOSFET |
| FQP5N90 | 900V N-Channel MOSFET |
| FQP5P10 | 100V P-Channel MOSFET |
| FQP5P20 | 200V P-Channel MOSFET |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FQP5N60C_Q | 功能描述:MOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQP5N80 | 功能描述:MOSFET 800V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQP5N80_Q | 功能描述:MOSFET 800V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQP5N90 | 功能描述:MOSFET 900V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQP5N90 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N TO-220 |
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