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參數資料
型號: FQP65N06
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: JFETs
英文描述: 60V N-Channel MOSFET
中文描述: 65 A, 60 V, 0.016 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝: TO-220, 3 PIN
文件頁數: 6/8頁
文件大小: 661K
代理商: FQP65N06
F
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A1. May 2001
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
DUT
V
DS
+
_
Driver
R
G
as DUT
V
GS
I
SD
controlled by pulse period
V
DD
L
I
SD
10V
V
GS
( Driver )
I
SD
( DUT )
V
DS
( DUT )
V
DD
Forward Voltage Drop
V
SD
I
FM
, Body Diode Forward Current
Body Diode Reverse Current
I
RM
Body Diode Recovery dv/dt
di/dt
D =
Gate Pulse Period
-Gate Pulse Width
-Gate Pulse Width
Same Type
dv/dt controlled by R
G
Body Diode
相關PDF資料
PDF描述
FQP6N15 150V N-Channel MOSFET
FQP6N25 250V n-Channel MOSFET
FQP6N40CF 400V N-Channel MOSFET
FQP6N40C 400V N-Channel MOSFET
FQPF6N40C 400V N-Channel MOSFET
相關代理商/技術參數
參數描述
FQP65N06 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N TO-220
FQP65N06_Q 功能描述:MOSFET TO-220 N-CH 60V 65A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQP6N15 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQP6N25 功能描述:MOSFET 250V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQP6N40 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:400V N-Channel MOSFET
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