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參數資料
| 型號： | FQPF50N06 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | I/O Module; Supply Voltage Max:24VDC |
| 中文描述： | 31 A, 60 V, 0.022 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | TO-220F, 3 PIN |
| 文件頁數： | 4/8頁 |
| 文件大小： | 630K |
| 代理商： | FQPF50N06 |
F
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A1. May 2001
1 0
-5
1 0
-4
1 0
-3
1 0
-2
1 0
-1
1 0
0
1 0
1
1 0
-2
1 0
-1
1 0
0
※
N o te s :
1 . Z
θ
2 . D u ty Fa c to r , D = t
1
/t
2
3 . T
J M
- T
C
= P
D M
* Z
θ
(t) = 3 .2 2
℃
/W M a x.
J C
(t)
s in g le p u ls e
D = 0 .5
0 .0 2
0 .2
0 .0 5
0 .1
0 .0 1
Z
θ
J
(
t
1
, S q u a re W a v e P u ls e D u ra tio n [s e c ]
25
50
75
100
125
150
175
0
10
20
30
40
I
D
,
T
C
, Case Temperature [
℃
]
-100
-50
0
50
100
150
200
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
※
Notes :
1. V
D
= = 10 V
R
D
,
D
T
J
, Junction Temperature [
o
C]
-100
-50
0
50
100
150
200
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
※
Notes :
GS
1. V
D
= = 0 V
μ
A
B
D
,
D
T
J
, Junction Temperature [
o
C]
Typical Characteristics
(Continued)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
t
1
P
DM
t
2
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQPF50N06L | 60V LOGIC N-Channel MOSFET |
| FQPF55N10 | 100V N-Channel MOSFET |
| FQPF58N08 | 80V N-Channel MOSFET |
| FQPF5N20L | 200V LOGIC N-Channel MOSFET |
| FQPF5N50CF | 500V N-Channel MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FQPF50N06 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N TO-220F |
| FQPF50N06L | 功能描述:MOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQPF55N06 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 33A I(D) | TO-220F |
| FQPF55N10 | 功能描述:MOSFET 100V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQPF58N08 | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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