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參數資料
型號: FQPF50N06
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: JFETs
英文描述: I/O Module; Supply Voltage Max:24VDC
中文描述: 31 A, 60 V, 0.022 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝: TO-220F, 3 PIN
文件頁數: 6/8頁
文件大小: 630K
代理商: FQPF50N06
F
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A1. May 2001
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
DUT
V
DS
+
_
Driver
R
G
as DUT
V
GS
I
SD
controlled by pulse period
V
DD
L
I
SD
10V
V
GS
( Driver )
I
SD
( DUT )
V
DS
( DUT )
V
DD
Forward Voltage Drop
V
SD
I
FM
, Body Diode Forward Current
Body Diode Reverse Current
I
RM
Body Diode Recovery dv/dt
di/dt
D =
Gate Pulse Period
-Gate Pulse Width
-Gate Pulse Width
Same Type
dv/dt controlled by R
G
Body Diode
相關PDF資料
PDF描述
FQPF50N06L 60V LOGIC N-Channel MOSFET
FQPF55N10 100V N-Channel MOSFET
FQPF58N08 80V N-Channel MOSFET
FQPF5N20L 200V LOGIC N-Channel MOSFET
FQPF5N50CF 500V N-Channel MOSFET
相關代理商/技術參數
參數描述
FQPF50N06 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N TO-220F
FQPF50N06L 功能描述:MOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQPF55N06 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 33A I(D) | TO-220F
FQPF55N10 功能描述:MOSFET 100V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQPF58N08 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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