欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

參數資料
型號: FQPF9N50C
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: JFETs
英文描述: 500V N-Channel MOSFET
中文描述: 9 A, 500 V, 0.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝: LEAD FREE, TO-220F, 3 PIN
文件頁數: 3/10頁
文件大小: 845K
代理商: FQPF9N50C
Rev. A, June 2003
F
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
0
5
10
15
20
25
30
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
= 250V
V
DS
= 100V
V
DS
= 400V
Note : I
D
= 9A
V
G
,
Q
G
, Total Gate Charge [nC]
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
10
-1
10
0
10
1
150
Notes :
1. V
GS
= 0V
2. 250
μ
s Pulse Test
25
I
D
,
V
SD
, Source-Drain voltage [V]
0
5
10
15
20
25
0.5
1.0
1.5
2.0
V
GS
= 20V
V
GS
= 10V
Note : T
J
= 25
R
D
Ω
D
I
D
, Drain Current [A]
Typical Characteristics
Figure 5. Capacitance Characteristics
Figure 6. Gate Charge Characteristics
Figure 3. On-Resistance Variation vs
Drain Current and Gate Voltage
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
and Temperature
Figure 2. Transfer Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
10
-1
10
0
10
1
10
-1
10
0
10
1
V
Top : 15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.0 V
5.5 V
5.0 V
Bottom : 4.5 V
Notes :
1. 250
μ
s Pulse Test
2. T
C
= 25
I
D
,
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
2
4
6
8
10
10
-1
10
0
10
1
150
o
C
25
o
C
-55
o
C
Notes :
1. V
DS
= 40V
2. 250
μ
s Pulse Test
I
D
,
V
GS
, Gate-Source Voltage [V]
10
-1
10
0
10
1
0
400
800
1200
1600
2000
C
iss
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
= shorted)
C
oss
= C
ds
+ C
gd
C
rss
= C
gd
Notes ;
1. V
GS
= 0 V
2. f = 1 MHz
C
rss
C
oss
C
iss
C
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
相關PDF資料
PDF描述
FQP9N50 500V N-Channel MOSFET
FQP9N90C 900V N-Channel MOSFET
FQPF9N90C 900V N-Channel MOSFET
FQPF10N20 CAP 4700PF 50V 1% NP0(C0G) DIP-2 TUBE-PAK R-MIL-PRF-39014/22
FQPF11N40 400V N-Channel MOSFET
相關代理商/技術參數
參數描述
FQPF9N50C 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N TO-220F
FQPF9N50CF 功能描述:MOSFET N-CH/500V/9A/ QFET C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQPF9N50CT 功能描述:MOSFET N-CH/500V/9A/QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQPF9N50CYDTU 功能描述:MOSFET 500V N-Chan Advance Q-FET C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQPF9N50T 功能描述:MOSFET 500V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
主站蜘蛛池模板: 江西省| 津市市| 体育| 玛沁县| 岫岩| 怀柔区| 乌鲁木齐市| 东兰县| 甘德县| 瑞安市| 伊宁市| 莒南县| 大丰市| 盈江县| 定陶县| 甘泉县| 绥棱县| 普安县| 朝阳县| 华宁县| 抚宁县| 汉阴县| 山西省| 获嘉县| 城口县| 光山县| 永仁县| 乐都县| 呼图壁县| 革吉县| 宣威市| 环江| 同心县| 织金县| 汝南县| 巴中市| 宿松县| 通州区| 颍上县| 西乡县| 临清市|