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參數資料
| 型號： | FQPF9N50C |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 500V N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 9 A, 500 V, 0.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封裝： | LEAD FREE, TO-220F, 3 PIN |
| 文件頁數： | 5/10頁 |
| 文件大小： | 845K |
| 代理商： | FQPF9N50C |
Rev. A, June 2003
F
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
1 0
-5
1 0
-4
1 0
-3
1 0
-2
1 0
-1
1 0
0
1 0
1
1 0
-2
1 0
-1
1 0
0
※
N o tes :
1. Z
θ
2. D u ty F a c to r, D = t
1
/t
2
3. T
JM
- T
C
= P
D M
* Z
θ
J C
(t) = 2 .8 6
℃
/W M a x.
J C
(t)
sin g le pu lse
D = 0 .5
0 .0 2
0 .2
0 .0 5
0 .1
0 .0 1
Z
θ
J
(
t
1
, S q u a re W ave P u lse D u ra tio n [se c]
1 0
-5
1 0
-4
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-3
1 0
-2
1 0
-1
1 0
0
1 0
1
1 0
-2
1 0
-1
1 0
0
※
N o tes :
1. Z
θ
2. D u ty F a c to r, D = t
1
/t
2
3. T
JM
- T
C
= P
D M
* Z
θ
J C
(t) = 0 .9 3
℃
/W M a x.
J C
(t)
sin g le pu lse
D = 0 .5
0 .0 2
0 .2
0 .0 5
0 .1
0 .0 1
Z
θ
J
(
t
1
, S q u a re W ave P u lse D u ra tio n [se c]
Typical Characteristics
(Continued)
Figure 11-1. Transient Thermal Response Curve for FQP9N50C
Figure 11-2. Transient Thermal Response Curve for FQPF9N50C
t
1
P
DM
t
2
t
1
P
DM
t
2
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQP9N50 | 500V N-Channel MOSFET |
| FQP9N90C | 900V N-Channel MOSFET |
| FQPF9N90C | 900V N-Channel MOSFET |
| FQPF10N20 | CAP 4700PF 50V 1% NP0(C0G) DIP-2 TUBE-PAK R-MIL-PRF-39014/22 |
| FQPF11N40 | 400V N-Channel MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FQPF9N50C | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N TO-220F |
| FQPF9N50CF | 功能描述:MOSFET N-CH/500V/9A/ QFET C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQPF9N50CT | 功能描述:MOSFET N-CH/500V/9A/QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQPF9N50CYDTU | 功能描述:MOSFET 500V N-Chan Advance Q-FET C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQPF9N50T | 功能描述:MOSFET 500V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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