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參數資料
| 型號： | FQS4410 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | Single N-Channel, Logic Level, Power MOSFET |
| 中文描述： | 10 A, 30 V, 0.0135 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | SOP-8 |
| 文件頁數： | 3/8頁 |
| 文件大小： | 598K |
| 代理商： | FQS4410 |
2000 Fairchild Semiconductor International
F
Rev. A, May 2000
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
= 15V
V
DS
= 24V
※
Note : I
D
= 10A
V
G
,
Q
G
, Total Gate Charge [nC]
10
-1
10
0
10
1
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
C
iss
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
= shorted)
C
oss
= C
ds
+ C
gd
C
rss
= C
gd
※
Note ;
1. V
GS
= 0 V
2. f = 1 MHz
C
rss
C
oss
C
iss
C
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
10
-1
10
0
10
0
10
1
V
GS
Top : 10.0 V
8.0 V
6.0 V
5.0 V
4.5 V
4.0 V
3.5 V
Bottom : 3.0 V
※
Note :
1. 250
μ
s Pulse Test
2. T
C
= 25
℃
I
D
,
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
10
-1
10
0
10
1
150
℃
25
℃
-55
℃
※
Note
1. V
DS
= 10V
2. 250
μ
s Pulse Test
I
D
,
V
GS
, Gate-Source Voltage [V]
Typical Characteristics
Figure 6. Gate Charge vs. Gate-Source Voltage
Figure 1. Output Characteristics
0
10
20
30
40
50
0
10
20
30
40
V
GS
= 10V
V
GS
= 4.5V
※
Note : T
J
= 25
℃
R
D
Ω
D
I
D
, Drain Current [A]
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
10
-1
10
0
10
1
150
℃
※
Note :
1. V
GS
= 0V
2. 250
μ
s Pulse Test
25
℃
I
D
,
V
SD
, Source-Drain voltage [V]
Figure 4. Source-Drain Diode Forward Voltage
Figure 5. Capacitance vs. Drain-Source Voltage
Figure 2. Transfer Characteristics
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQS4900 | Dual N & P-Channel, Logic Level MOSFET |
| FQS4901 | 400V Dual N-Channel MOSFET |
| FQS4903 | 500V Dual N-Channel MOSFET |
| FQT13N06L | 60V LOGIC N-Channel MOSFET |
| FQT13N06 | 60V N-Channel MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FQS4410TF | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQS4900 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual N & P-Channel, Logic Level MOSFET |
| FQS4900TF | 功能描述:MOSFET N-Ch 60V/ P-Ch 300V Dual QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQS4900TF_Q | 功能描述:MOSFET N-Ch 60V/ P-Ch 300V Dual QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQS4901 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:400V Dual N-Channel MOSFET |
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