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參數資料
| 型號： | FQS4410 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | Single N-Channel, Logic Level, Power MOSFET |
| 中文描述： | 10 A, 30 V, 0.0135 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | SOP-8 |
| 文件頁數： | 6/8頁 |
| 文件大小： | 598K |
| 代理商： | FQS4410 |
2000 Fairchild Semiconductor International
F
Rev. A, May 2000
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
DUT
V
DS
+
_
Driver
R
G
Same Type
as DUT
V
GS
dv/dt controlled by R
I
S
controlled by pulse period
V
DD
L
I
S
10V
V
GS
( Driver )
I
S
( DUT )
V
DS
( DUT )
V
DD
Forward Voltage Drop
V
f
I
FM
, Body Diode Forward Current
Body Diode Reverse Current
I
RM
Body Diode Recovery dv/dt
di/dt
D =
Gate Pulse Period
-Gate Pulse Width
-Gate Pulse Width
Body Diode
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQS4900 | Dual N & P-Channel, Logic Level MOSFET |
| FQS4901 | 400V Dual N-Channel MOSFET |
| FQS4903 | 500V Dual N-Channel MOSFET |
| FQT13N06L | 60V LOGIC N-Channel MOSFET |
| FQT13N06 | 60V N-Channel MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FQS4410TF | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQS4900 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual N & P-Channel, Logic Level MOSFET |
| FQS4900TF | 功能描述:MOSFET N-Ch 60V/ P-Ch 300V Dual QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQS4900TF_Q | 功能描述:MOSFET N-Ch 60V/ P-Ch 300V Dual QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQS4901 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:400V Dual N-Channel MOSFET |
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