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參數資料
| 型號： | FQT2P25 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 250V P-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 0.55 A, 250 V, 4 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 文件頁數： | 6/8頁 |
| 文件大小： | 654K |
| 代理商： | FQT2P25 |
F
Rev. A, May 2001
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
DUT
V
DS
+
_
Driver
R
G
(N-Channel)
V
GS
I
S
controlled by pulse period
V
DD
L
I
S
Compliment of DUT
dv/dt controlled by R
G
10V
V
GS
( Driver )
I
S
( DUT )
V
DS
( DUT )
V
DD
Forward Voltage Drop
V
f
I
FM
, Body Diode Forward Current
Body Diode Reverse Current
I
RM
Body Diode Recovery dv/dt
di/dt
D =
Gate Pulse Period
-Gate Pulse Width
-Gate Pulse Width
Body Diode
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQT3P20 | 200V P-Channel MOSFET |
| FQT4N20L | 200V LOGIC N-Channel MOSFET |
| FQT4N20 | 200V N-Channel MOSFET |
| FQT4N25 | 250V N-Channel MOSFET |
| FQT5P10 | 250V N-Channel MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FQT2P25TF | 功能描述:MOSFET -250V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQT3N25 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 700MA I(D) | SOT-223 |
| FQT3N25TF | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQT3P20 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V P-Channel MOSFET |
| FQT3P20TF | 功能描述:MOSFET -200V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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