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參數資料
| 型號： | FQT4N20 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 200V N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 0.85 A, 200 V, 1.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 文件頁數： | 7/8頁 |
| 文件大小： | 629K |
| 代理商： | FQT4N20 |
Rev. A, May 2001
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
F
Package Dimensions
3.00
±
0.10
7
±
0
0
±
0
0
3
±
0
1
±
0
(
(
(
(
1
±
0
0.70
±
0.10
4.60
±
0.25
6.50
±
0.20
(0.95)
(0.95)
2.30 TYP
0.25
MAX1.80
0
°
~10
°
+0.10
–0.05
0.06
+0.04
–0.02
SOT-223
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQT4N25 | 250V N-Channel MOSFET |
| FQT5P10 | 250V N-Channel MOSFET |
| FQT7N10L | 100V LOGIC N-Channel MOSFET |
| FQT7N10 | 100V N-Channel MOSFET |
| FQT7P06 | 60V P-Channel MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FQT4N20L | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V LOGIC N-Channel MOSFET |
| FQT4N20LTF | 功能描述:MOSFET 200V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQT4N20TF | 功能描述:MOSFET 200V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQT4N25 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:250V N-Channel MOSFET |
| FQT4N25TF | 功能描述:MOSFET 250V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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