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參數(shù)資料
型號: FQU10N20C
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: JFETs
英文描述: 200V N-Channel MOSFET
中文描述: 7.8 A, 200 V, 0.36 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝: ROHS COMPLIANT, IPAK-3
文件頁數(shù): 5/9頁
文件大小: 589K
代理商: FQU10N20C
Rev. A, December 2003
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
F
Gate Charge Test Circuit & Waveform
Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveforms
Charge
V
GS
10V
Q
g
Q
gs
Q
gd
3mA
V
GS
DUT
V
DS
300nF
50K
Ω
200nF
12V
as DUT
Same Type
V
GS
V
DS
10%
90%
t
d(on)
t
r
t
on
t
off
t
d(off)
t
f
V
DD
10V
V
DS
R
L
DUT
R
G
V
GS
E
AS
=
LI
AS2
-1
2
BV
DSS
- V
DD
BV
V
DD
V
DS
BV
DSS
t
p
V
DD
I
AS
V
DS
(t)
I
D
(t)
Time
10V
DUT
R
G
L
I
D
t
p
-1
----
--------------------
相關PDF資料
PDF描述
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FQU10N20 CAP 6800PF 50V 1% NP0(C0G) DIP-2 TUBE-PAK R-MIL-PRF-39014/22
FQD10N20L 200V LOGIC N-Channel MOSFET
FQD11P06 60V P-Channel MOSFET
FQU11P06 60V P-Channel MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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FQU10N20L 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V LOGIC N-Channel MOSFET
FQU10N20LTU 功能描述:MOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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