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參數資料
| 型號： | FQU10N20C |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 200V N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 7.8 A, 200 V, 0.36 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, IPAK-3 |
| 文件頁數： | 8/9頁 |
| 文件大小： | 589K |
| 代理商： | FQU10N20C |
Rev. A, December 2003
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
F
Package Dimensions
6.60
±
0.20
0.76
±
0.10
MAX0.96
2.30TYP
[2.30
±
0.20]
2.30TYP
[2.30
±
0.20]
0
±
0
0
±
0
1
±
0
9
±
0
1
±
0
6
±
0
0
±
0
5.34
±
0.20
0.50
±
0.10
0.50
±
0.10
2.30
±
0.20
(0.50)
(0.50)
(4.34)
I-PAK
Dimensions in Millimeters
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQD10N20 | CAP 3900PF 50V 1% NP0(C0G) DIP-2 TUBE-PAK R-MIL-PRF-39014/22 |
| FQU10N20 | CAP 6800PF 50V 1% NP0(C0G) DIP-2 TUBE-PAK R-MIL-PRF-39014/22 |
| FQD10N20L | 200V LOGIC N-Channel MOSFET |
| FQD11P06 | 60V P-Channel MOSFET |
| FQU11P06 | 60V P-Channel MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FQU10N20CTU | 功能描述:MOSFET N-CH/200V/10A/QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQU10N20L | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V LOGIC N-Channel MOSFET |
| FQU10N20LTU | 功能描述:MOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQU10N20TU | 功能描述:MOSFET 200V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQU10N20TU_AM002 | 功能描述:MOSFET 200V 7.6A 0.36Ohm N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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