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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | FQU3P20 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 200V P-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 2.4 A, 200 V, 2.7 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251 |
| 封裝： | IPAK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 5/9頁 |
| 文件大小： | 549K |
| 代理商： | FQU3P20 |
2000 Fairchild Semiconductor International
F
Rev. A, April 2000
Gate Charge Test Circuit & Waveform
Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveforms
Charge
V
GS
-10V
Q
g
Q
gs
Q
gd
-3mA
V
GS
DUT
V
DS
300nF
50K
200nF
12V
as DUT
Same Type
V
DS
V
GS
10%
90%
t
d(on)
t
r
t
on
t
off
t
d(off)
t
f
V
DD
-10V
V
DS
R
L
DUT
R
G
V
GS
E
AS
=
LI
AS2
-1
2
BV
DSS
- V
DD
BV
V
DD
V
DS
BV
DSS
t
p
V
DD
I
AS
V
DS
(t)
I
D
(t)
Time
-10V
DUT
R
G
L
I
D
t
p
-1
----
--------------------
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQD3P50 | 500V P-Channel MOSFET(漏源電壓為-500V、漏電流為2.1A的P溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管) |
| FQU3P50 | 500V P-Channel MOSFET(漏源電壓為-500V、漏電流為2.1A的P溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管) |
| FQD45N03L | N-Channel Logic Level PWM Optimized Power MOSFET |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| FQU3P50 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:500V P-Channel MOSFET |
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| FQU45N03L | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-262AA |
| FQU45N03LTU | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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