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參數資料
| 型號： | FQU3P50 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 500V P-Channel MOSFET(漏源電壓為-500V、漏電流為2.1A的P溝道增強型MOS場效應管) |
| 中文描述： | 2.1 A, 500 V, 4.9 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, IPAK-3 |
| 文件頁數： | 3/9頁 |
| 文件大小： | 638K |
| 代理商： | FQU3P50 |
2000 Fairchild Semiconductor International
F
Rev. A, August 2000
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
= -250V
V
DS
= -100V
V
DS
= -400V
※
Note : I
D
= -2.7 A
-
G
,
Q
G
, Total Gate Charge [nC]
10
-1
10
0
10
1
0
200
400
600
800
1000
1200
C
iss
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
= shorted)
C
oss
= C
ds
+ C
gd
C
rss
= C
gd
※
Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. f = 1 MHz
C
rss
C
oss
C
iss
C
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
10
-1
10
0
150
℃
※
Notes :
1. V
GS
= 0V
2. 250
μ
s Pulse Test
25
℃
-
D
-V
SD
, Source-Drain Voltage [V]
0
2
4
6
8
2
3
4
5
6
7
8
※
Note : T
J
= 25
℃
V
GS
= - 20V
V
GS
= - 10V
R
D
]
D
-I
D
, Drain Current [A]
2
4
6
8
10
10
-1
10
0
150
℃
25
℃
-55
℃
※
Notes :
1. V
DS
= -50V
2. 250
μ
s Pulse Test
-
D
-V
GS
, Gate-Source Voltage [V]
10
-1
10
0
10
1
10
-2
10
-1
10
0
V
GS
Top : -15.0 V
-10.0 V
-8.0 V
-7.0 V
-6.5 V
-6.0 V
Bottom : -5.5 V
※
Notes :
1. 250
μ
s Pulse Test
2. T
C
= 25
℃
-
D
,
-V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
Typical Characteristics
Figure 5. Capacitance Characteristics
Figure 6. Gate Charge Characteristics
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
Figure 2. Transfer Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQD45N03L | N-Channel Logic Level PWM Optimized Power MOSFET |
| FQD4N20L | 200V Logic N-Channel MOSFET(漏源電壓為200V、漏電流為3.2A的邏輯N溝道增強型MOS場效應管) |
| FQD4N25 | 250V N-Channel MOSFET(漏源電壓為250V、漏電流為3.0A的N溝道增強型MOS場效應管) |
| FQU4N25 | 250V N-Channel MOSFET |
| FQD4N50 | 500V N-Channel MOSFET(漏源電壓為500V、漏電流為2.6A的N溝道增強型MOS場效應管) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FQU3P50TU | 功能描述:MOSFET 500V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQU45N03L | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-262AA |
| FQU45N03LTU | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQU4N20 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V N-Channel MOSFET |
| FQU4N20L | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V LOGIC N-Channel MOSFET |
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