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參數(shù)資料
| 型號： | FQU3P50 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 500V P-Channel MOSFET(漏源電壓為-500V、漏電流為2.1A的P溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管) |
| 中文描述： | 2.1 A, 500 V, 4.9 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, IPAK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 6/9頁 |
| 文件大小： | 638K |
| 代理商： | FQU3P50 |
2000 Fairchild Semiconductor International
F
Rev. A, August 2000
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
DUT
V
DS
+
_
Driver
R
G
(N-Channel)
V
GS
I
SD
controlled by pulse period
V
DD
L
I
SD
10V
V
GS
( Driver )
I
SD
( DUT )
V
DS
( DUT )
V
DD
Forward Voltage Drop
V
SD
I
FM
, Body Diode Forward Current
Body Diode Reverse Current
I
RM
Body Diode Recovery dv/dt
di/dt
D =
Gate Pulse Period
-Gate Pulse Width
-Gate Pulse Width
Compliment of DUT
dv/dt controlled by R
G
Body Diode
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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