- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄375882 > FQU5N40 (FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP) 400V N-Channel MOSFET(漏源電壓為400V、漏電流為3.4A的N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | FQU5N40 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 400V N-Channel MOSFET(漏源電壓為400V、漏電流為3.4A的N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管) |
| 中文描述： | 3.4 A, 400 V, 1.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251 |
| 封裝： | IPAK-3 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/9頁(yè) |
| 文件大小： | 735K |
| 代理商： | FQU5N40 |
'
, -. * / 0,
1
"
() $ * +
(
2
3'
"
μ
μ
!"#!
$
#
%
$#%
&
!
()*$$"&+
',)*$$
#$
-.!
#$
/
#$
''##$
"
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQD5N50C | 500V N-Channel MOSFET |
| FQU5N50C | 500V N-Channel MOSFET |
| FQD5P10 | 100V P-Channel MOSFET |
| FQU5P10 | 100V P-Channel MOSFET |
| FQD5P20 | 200V P-Channel MOSFET(漏源電壓為-200V、漏電流為3.7A的P溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FQU5N40TU | 功能描述:MOSFET 400V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQU5N50 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:500V N-Channel MOSFET |
| FQU5N50C | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:500V N-Channel MOSFET |
| FQU5N50CTU | 功能描述:MOSFET 500V N-Channel Adv Q-FET C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQU5N50CTU_WS | 功能描述:MOSFET 500V,4.0A NCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。