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參數資料
型號: FQU5N40
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: JFETs
英文描述: 400V N-Channel MOSFET(漏源電壓為400V、漏電流為3.4A的N溝道增強型MOS場效應管)
中文描述: 3.4 A, 400 V, 1.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251
封裝: IPAK-3
文件頁數: 8/9頁
文件大小: 735K
代理商: FQU5N40
6.60
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MAX0.96
2.30TYP
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相關PDF資料
PDF描述
FQD5N50C 500V N-Channel MOSFET
FQU5N50C 500V N-Channel MOSFET
FQD5P10 100V P-Channel MOSFET
FQU5P10 100V P-Channel MOSFET
FQD5P20 200V P-Channel MOSFET(漏源電壓為-200V、漏電流為3.7A的P溝道增強型MOS場效應管)
相關代理商/技術參數
參數描述
FQU5N40TU 功能描述:MOSFET 400V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQU5N50 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:500V N-Channel MOSFET
FQU5N50C 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:500V N-Channel MOSFET
FQU5N50CTU 功能描述:MOSFET 500V N-Channel Adv Q-FET C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQU5N50CTU_WS 功能描述:MOSFET 500V,4.0A NCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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