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參數資料
| 型號： | FQU8N25 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 250V N-Channel MOSFET(漏源電壓為250V、漏電流為6.2A的N溝道增強型MOS場效應管) |
| 中文描述： | 6.2 A, 250 V, 0.55 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251 |
| 封裝： | IPAK-3 |
| 文件頁數： | 3/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 602K |
| 代理商： | FQU8N25 |
2000 Fairchild Semiconductor International
F
Rev. A, May 2000
0.2
0.4
0.6
V
SD
, Source-Drain Voltage [V]
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
10
-1
10
0
10
1
25
℃
150
℃
※
Notes :
1. V
GS
= 0V
2. 250
μ
s Pulse Test
I
D
2
4
6
8
10
10
-1
10
0
10
1
※
Notes :
1. V
DS
= 50V
2. 250
μ
s Pulse Test
-55
℃
150
℃
25
℃
I
D
V
GS
, Gate-Source Voltage [V]
10
-1
10
0
10
1
10
-1
10
0
10
1
V
GS
Top : 15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
Bottom : 5.5 V
※
Notes :
1. 250
μ
s Pulse Test
2. T
C
= 25
℃
I
D
,
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0
3
6
9
12
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
= 125V
V
DS
= 200V
V
DS
= 50V
※
Note : I
D
= 8.0 A
V
G
,
Q
G
, Total Gate Charge [nC]
10
-1
10
0
10
1
0
200
400
600
800
C
iss
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
= shorted)
C
oss
= C
ds
+ C
gd
C
rss
= C
gd
※
Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. f = 1 MHz
C
rss
C
oss
C
iss
C
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0
5
10
15
20
25
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
V
GS
= 20V
V
GS
= 10V
※
Note : T
J
= 25
℃
R
D
Ω
]
D
I
D
, Drain Current [A]
Typical Characteristics
Figure 5. Capacitance Characteristics
Figure 6. Gate Charge Characteristics
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
Figure 2. Transfer Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQD8N25 | 250V N-Channel MOSFET |
| FQU8P10 | 100V P-Channel MOSFET(漏源電壓為-100V、漏電流為6.6A的P溝道增強型MOS場效應管) |
| FQU9N08L | 80V Logic N-Channel MOSFET(漏源電壓為80V、漏電流為7.4A的邏輯N溝道增強型MOS場效應管) |
| FQU9N08 | 80V N-Channel MOSFET(漏源電壓為80V、漏電流為7.4A的N溝道增強型MOS場效應管) |
| FQU9N15 | 150V N-Channel MOSFET(漏源電壓為150V、漏電流為7.0A的N溝道增強型MOS場效應管) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FQU8N25TU | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQU8P10 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:100V P-Channel MOSFET |
| FQU8P10TU | 功能描述:MOSFET -100V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQU9N08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:80V N-Channel MOSFET |
| FQU9N08L | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:80V LOGIC N-Channel MOSFET |
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