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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | FQU8N25 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類(lèi)： | JFETs |
| 英文描述： | 250V N-Channel MOSFET(漏源電壓為250V、漏電流為6.2A的N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管) |
| 中文描述： | 6.2 A, 250 V, 0.55 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251 |
| 封裝： | IPAK-3 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 7/9頁(yè) |
| 文件大小： | 602K |
| 代理商： | FQU8N25 |
2000 Fairchild Semiconductor International
F
Rev. A, May 2000
Package Dimensions
6.60
±
0.20
2.30
±
0.10
0.50
±
0.10
5.34
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0
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(
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2.30TYP
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±
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MAX0.96
(4.34)
(0.50)
(0.50)
DPAK
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQD8N25 | 250V N-Channel MOSFET |
| FQU8P10 | 100V P-Channel MOSFET(漏源電壓為-100V、漏電流為6.6A的P溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管) |
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| FQU9N08 | 80V N-Channel MOSFET(漏源電壓為80V、漏電流為7.4A的N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管) |
| FQU9N15 | 150V N-Channel MOSFET(漏源電壓為150V、漏電流為7.0A的N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| FQU8P10TU | 功能描述:MOSFET -100V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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