型號: | FS30R06KL |
英文描述: | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 600V V(BR)CES | 30A I(C) |
中文描述: | 晶體管| IGBT功率模塊| 3 - PH值大橋| 600V的五(巴西)國際消費電子展| 30A條一(c) |
文件頁數: | 1/1頁 |
文件大?。?/td> | 39K |
代理商: | FS30R06KL |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
FS70VSJ2 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 70A I(D) | TO-263AB |
FS75R06KF2 | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 600V V(BR)CES | 75A I(C) |
FS75R06KF3 | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 600V V(BR)CES | 75A I(C) |
FS781BT | MISCELLANEOUS CLOCK GENERATOR|TSSOP|8PIN|PLASTIC |
FS781BZB | MISCELLANEOUS CLOCK GENERATOR|SOP|8PIN|PLASTIC |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
---|---|
FS30R06VE3 | 功能描述:IGBT 模塊 IGBT-MODULE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
FS30R06W1E3 | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 600V 45A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
FS30R06W1E3_B11 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT Module 30A 600V |
FS30R06XE3 | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 600V 37A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
FS30R06XL4 | 功能描述:IGBT 模塊 IGBT MODULE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |