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參數資料
型號: FS30R06KL
英文描述: TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 600V V(BR)CES | 30A I(C)
中文描述: 晶體管| IGBT功率模塊| 3 - PH值大橋| 600V的五(巴西)國際消費電子展| 30A條一(c)
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代理商: FS30R06KL
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PDF描述
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參數描述
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FS30R06W1E3 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 600V 45A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FS30R06W1E3_B11 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT Module 30A 600V
FS30R06XE3 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 600V 37A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FS30R06XL4 功能描述:IGBT 模塊 IGBT MODULE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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