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參數(shù)資料
型號: FS35R12KE3G
廠商: INFINEON TECHNOLOGIES AG
元件分類: IGBT 晶體管
英文描述: IGBT-Modules
中文描述: 55 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝: MODULE-28
文件頁數(shù): 2/8頁
文件大?。?/td> 123K
代理商: FS35R12KE3G
Technische Information / technical information
FS35R12KE3 G
IGBT-Module
IGBT-Modules
min.
typ.
max.
-
85
-
ns
-
90
-
ns
-
30
-
ns
-
45
-
ns
-
420
-
ns
-
520
-
ns
-
65
-
ns
-
90
-
ns
-
1,65
2,15
V
-
1,65
-
V
-
49
-
A
-
51
-
A
-
3,7
-
μC
-
6,8
-
μC
-
1,4
-
mJ
-
2,7
-
mJ
V
R
= 600V, V
GE
= -15V, T
vj
= 25°C
V
R
= 600V, V
GE
= -15V, T
vj
= 125°C
Transistor Wechselrichter / transistor inverter
t
d,on
Anstiegszeit (induktive Last)
rise time (inductive load)
I
C
= I
C, nom
, V
CC
= 600V
t
r
V
R
= 600V, V
GE
= -15V, T
vj
= 25°C
I
F
=I
C,nom
, -di
F
/dt= 1500A/μs
Durchlassspannung
forward voltage
Charakteristische Werte / characteristic values
I
F
= I
C, nom
, V
GE
= 0V, T
vj
= 25°C
I
F
= I
C, nom
, V
GE
= 0V, T
vj
= 125°C
Einschaltverzgerungszeit (induktive Last)
turn on delay time (inductive load)
V
GE
= ±15V, R
G
= 27
, T
vj
= 125°C
Abschaltverzgerungszeit (induktive Last)
turn off delay time (inductive load)
V
R
= 600V, V
GE
= -15V, T
vj
= 125°C
V
F
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
I
RM
-
-
t
f
V
GE
= ±15V, R
G
= 27
, T
vj
= 25°C
V
GE
= ±15V, R
G
= 27
, T
vj
= 125°C
I
C
= I
C, nom
, V
CC
= 600V
-
3,5
I
C
= I
C, nom
, V
CC
= 600V
V
GE
= ±15V, R
G
= 27
, T
vj
= 25°C
m
Charakteristische Werte / characteristic values
E
on
I
C
= I
C, nom
, V
CC
= 600V, L
σ
= 70nH
V
GE
= ±15V, R
G
= 27
, T
vj
= 125°C
t
d,off
V
GE
= ±15V, R
G
= 27
, T
vj
= 25°C
V
GE
= ±15V, R
G
= 27
, T
vj
= 125°C
I
C
= I
C, nom
, V
CC
= 600V
-
mJ
-
mJ
Leitungswiderstand, Anschluss-Chip
lead resistance, terminal-chip
R
CC′/EE′
T
c
= 25°C
19
turn off energy loss per pulse
E
off
I
C
= I
C, nom
, V
CC
= 600V, L
σ
= 70nH
V
GE
= ±15V, R
G
= 27
, T
vj
= 125°C
t
P
10μsec, V
GE
15V, T
Vj
125°C
-
4,8
Diode Wechselrichter / diode inverter
2,5
Q
r
Ausschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy
E
rec
V
R
= 600V, V
GE
= -15V, T
vj
= 25°C
V
R
= 600V, V
GE
= -15V, T
vj
= 125°C
I
F
=I
C,nom
, -diF/dt= 1500A/μs
-
nH
stray inductance module
Modulindiktivitt
L
σ
CE
-
SC data
V
CC
= 900V, V
CEmax
= V
CES
- L
σ
CE
·di/dt
Einschaltverlustenergie pro Puls
turn on energy loss per pulse
Ausschaltverlustenergie pro Puls
Fallzeit (induktive Last)
fall time (inductive load)
V
GE
= ±15V, R
G
= 27
, T
vj
= 25°C
V
GE
= ±15V, R
G
= 27
, T
vj
= 125°C
Kurzschlussverhalten
I
SC
-
140
-
A
Sperrverzgerungsladung
recoverred charge
I
F
=I
C,nom
, -di
F
/dt= 1500A/μs
2 (8)
Datenblatt FS35R12KE3_G V3.xls
2002-03-04
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PDF描述
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