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參數資料
| 型號： | FS35R12KE3G |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | IGBT-Modules |
| 中文描述： | 55 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | MODULE-28 |
| 文件頁數： | 8/8頁 |
| 文件大小： | 123K |
| 代理商： | FS35R12KE3G |
Technische Information / technical information
FS35R12KE3 G
IGBT-Module
IGBT-Modules
Gehusemae / Schaltbild
Package outline / Circuit diagram
8 (8)
Datenblatt FS35R12KE3_G V3.xls
2002-03-04
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FS3A | SURFACE MOUNT SUPER FAST RECTIFERS |
| FS3B | SURFACE MOUNT SUPER FAST RECTIFERS |
| FS3C | SURFACE MOUNT SUPER FAST RECTIFERS |
| FS3D | SURFACE MOUNT SUPER FAST RECTIFERS |
| FS3G | SURFACE MOUNT SUPER FAST RECTIFERS |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FS35R12KT3 | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 55A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FS35R12KT3_04 | 制造商:EUPEC 制造商全稱:EUPEC 功能描述:EconoPACK2 with fast trench/fieldstop IGBT3 and EmCon High Efficiency diode |
| FS35R12NT3 | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 55A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FS35R12W1T4 | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 65A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FS35R12W1T4_B11 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT Module 35A 1200V |
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