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參數資料
| 型號： | FS50R12KT3 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | echnische Information / technical information |
| 中文描述： | 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | MODULE-28 |
| 文件頁數： | 5/8頁 |
| 文件大小： | 276K |
| 代理商： | FS50R12KT3 |
5
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FS50R12KT3
prepared by: Martin Knecht
approved by: Robert Severin
date of publication: 2003-6-27
revision: 2.0
Vorlufige Daten
preliminary data
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)
switching losses IGBT-Inverter (typical)
Eóò = f (R), Eó = f (R)
V = ±15 V, I = 50 A, V = 600 V, TY = 125°C
R []
E
0
10
20
30
40
50
60
70
80
14
12
10
8
6
4
2
0
Eóò
Eó
Transienter Wrmewiderstand IGBT-Wechselr.
transient thermal impedance IGBT-inverter
Zúì = f (t)
t [s]
Z
0,001
0,01
0,1
1
10
0,01
0,1
1
Zúì : IGBT
i:
rí[K/W]:
í[s]:
τ
1
0,05077
0,002345
2
0,2032
0,0282
3
0,1142
0,1128
4
0,07893
0,282
Sicherer Rückwrts-Arbeitsbereich IGBT-Wr. (RBSOA)
reverse bias safe operating area IGBT-inv. (RBSOA)
I = f (V)
V = ±15 V, Ró = 18 , TY = 125°C
V [V]
I
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
125
100
75
50
25
0
I, Modul
I, Chip
Durchlakennlinie der Diode-Wechselr. (typisch)
forward characteristic of diode-inverter (typical)
I = f (V)
V [V]
I
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
TY = 25°C
TY = 125°C
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