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參數資料
| 型號： | FS75R12KE3G |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | IGBT-Modules |
| 中文描述： | 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | MODULE-35 |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 167K |
| 代理商： | FS75R12KE3G |
I
C, nom
I
C
75
100
A
A
min.
typ.
max.
-
1,7
2,1
V
-
2
t.b.d.
V
I2t
-
400
nA
gate emitter leakage current
Gate Emitter Reststrom
V
CE
= 0V, V
GE
= 20V, T
vj
= 25°C
I
GES
-
0,2
-
nF
reverse transfer capacitance
Rückwirkungskapazitt
f= 1MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25V, V
GE
= 0V
C
res
-
5
5,8
6,5
V
A
DC forward current
+/- 20
1,19
kA2s
t
p
= 1ms
I
FRM
150
A
Grenzlastintegral
I2t value
150
Dauergleichstrom
I
F
75
T
c
= 25°C
repetitive peak collector current
t
p
= 1ms, T
c
= 80°C
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
I
CRM
W
V
gate emitter peak voltage
repetitive peak forward current
V
R
= 0V, t
p
= 10ms, T
vj
= 125°C
V
GE
= 15V, T
vj
= 125°C, I
C
= I
C,nom
Gate Schwellenspannung
gate threshold voltage
V
CE
= V
GE
, T
vj
= 25°C, I
C
= 3mA
Elektrische Eigenschaften / electrical properties
Hchstzulssige Werte / maximum rated values
Kollektor Emitter Sperrspannung
collector emitter voltage
T
c
= 80°C
T
c
= 25°C
Kollektor Dauergleichstrom
DC collector current
V
CES
1200
V
kV
2,5
A
nF
-
vorlufige Daten
preliminary data
Transistor Wechselrichter / transistor inverter
date of publication: 2001-08-16
Kollektor Emitter Sttigungsspannung
collector emitter satration voltage
V
GE
= 15V, T
vj
= 25°C, I
C
= I
C,nom
Periodischer Spitzenstrom
Gesamt Verlustleistung
total power dissipation
Gate Emitter Spitzenspannung
V
CEsat
Charakteristische Werte / characteristic values
approved: Martin Hierholzer
input capacitance
gate charge
Gateladung
V
GE
= -15V...+15V
Q
G
I
CES
Technische Information / technical information
FS75R12KE3 G
IGBT-Module
IGBT-Modules
Isolations Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f= 50Hz, t= 1min
V
ISOL
P
tot
350
Kollektor Emitter Reststrom
collector emitter cut off current
prepared by: Mark Münzer
Eingangskapazitt
V
GES
revision: 2
V
GE(th)
f= 1MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25V, V
GE
= 0V
C
ies
5,3
-
-
-
5
mA
V
CE
= 1200V, V
GE
= 0V, T
vj
= 25°C
-
0,7
-
μC
1 (8)
Datenblatt_FS75R12KE3G_V2.xls
2001-08-16
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FS75R17KE3 | IGBT-Module |
| FS781 | Low EMI Spectrum Spread Clock |
| FS782 | Low EMI Spectrum Spread Clock |
| FS784 | Low EMI Spectrum Spread Clock |
| FS7KM-12 | AML BUTTON/LENS RECTANG PB BLACK |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FS75R12KE3G_03 | 制造商:EUPEC 制造商全稱:EUPEC 功能描述:IGBT-modules |
| FS75R12KS4 | 功能描述:IGBT 模塊 1200V 75A 3-PHASE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FS75R12KT3 | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 105A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FS75R12KT3G | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 100A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FS75R12KT4_B11 | 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 1200V 75A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
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