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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | FS75R12KE3G |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | IGBT-Modules |
| 中文描述： | 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | MODULE-35 |
| 文件頁數(shù)： | 8/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 167K |
| 代理商： | FS75R12KE3G |
vorlufige Daten
preliminary data
Technische Information / technical information
FS75R12KE3 G
IGBT-Module
IGBT-Modules
Gehusemae / Schaltbild
Package outline / Circuit diagram
8 (8)
Datenblatt_FS75R12KE3G_V2.xls
2001-08-16
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| FS782 | Low EMI Spectrum Spread Clock |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| FS75R12KT3 | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 105A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FS75R12KT3G | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 100A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FS75R12KT4_B11 | 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 1200V 75A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
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