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參數資料
型號: FSAM20SH60A
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 運動控制電子
英文描述: 16 Characters x 4 Lines, 5x7 Dot Matrix Character and Cursor
中文描述: AC MOTOR CONTROLLER, 40 A, DMA32
文件頁數: 13/17頁
文件大小: 975K
代理商: FSAM20SH60A
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
F
Rev. A, September 2002
P1 : Normal operation - IGBT ON and conducting current
P2 : Short-Circuit current detection
P3 : IGBT gate interrupt / Fault signal generation
P4 : IGBT is slowly turned off
P5 : IGBT OFF signal
P6 : IGBT ON signal - but IGBT cannot be turned on during the fault Output activation
P7 : IGBT OFF state
P8 : Fault Output reset and normal operation start
Fig. 12. Short-Circuit Current Protection (Low-side Operation only)
Internal IGBT
Gate-Emitter Voltage
Input Signal
Output Current
Sensing Voltage
Fault Output Signal
P1
P3
P4
P6
P5
P7
P8
SC Reference
Voltage (0.5V)
RC Filter Delay
SC Detection (P2)
相關PDF資料
PDF描述
FSAM20SL60 SPMTM (Smart Power Module)
FSAM20SM60A SPMTM (Smart Power Module)
FSAM30SH60A 16 Characters x 4 Lines, 5x7 Dot Matrix Character and Cursor
FSAM30SM60A SPMTM (Smart Power Module) General Description
FSAM50SM60A SPMTM (Smart Power Module)
相關代理商/技術參數
參數描述
FSAM20SH60A_03 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:SPMTM (Smart Power Module)
FSAM20SL60 功能描述:IGBT 晶體管 600V 20A SPM2 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
FSAM20SM60A 功能描述:IGBT 晶體管 600V/20A/ SPM2 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
FSAM30SH60A 功能描述:IGBT 模塊 600V/30A/ SPM2 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FSAM30SH60A 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:POWER SUPPLY IC 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Power Supply IC
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