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參數資料
| 型號： | FSB560 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | NPN Low Saturation Transistor |
| 中文描述： | 2000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | SUPERSOT-3 |
| 文件頁數： | 3/7頁 |
| 文件大小： | 208K |
| 代理商： | FSB560 |
Typical Characteristics
Current Gain vs. Collector Current
700
V = 2.0V
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
0
100
200
300
400
500
600
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
H
F
25°C
125°C
- 40°C
Collector-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
0
0.01
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
0.1
1
10
0.2
0.4
0.6
0.8
V
C
- 40
°
C
25
°
C
125
°
C
β = 10
Base-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
0.001
0.01
I - COLLECTOR CURRENT (A)
0.1
1
10
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
V
B
25
°
C
- 40
°
C
125
°
C
β = 10
Base-Emitter On Voltage vs.
Collector Current
0.0001
0.001
I - COLLECTOR CURRENT (A)
0.01
0.1
1
10
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
V
B
25
°
C
- 40
°
C
125
°
C
V = 2.0V
Input/Output Capacitance vs.
Reverse Bias Voltage
0.1
0.2
0.5
V - COLLECTOR VOLTAGE (V)
1
2
5
10
20
50
100
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
C
f = 1.0 MHz
C
C
obo
NA
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FSB560A | NPN Low Saturation Transistor |
| FSB619 | NPN Low Saturation Transistor |
| FSB649 | NPN Low Saturation Transistor |
| FSB660A | PNP Low Saturation Transistor(集電極電流達2A的PNP低飽和電壓晶體管) |
| FSB660 | PNP Low Saturation Transistor(集電極電流達2A的PNP低飽和電壓晶體管) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FSB560_01 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Low Saturation Transistor |
| FSB560_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FSB560A | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FSB560A_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FSB619 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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