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參數資料
| 型號： | FSB619 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | NPN Low Saturation Transistor |
| 中文描述： | 2000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | SUPERSOT-3 |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 27K |
| 代理商： | FSB619 |
July 1998
FSB619
NPN Low Saturation Transistor
These devices are designed with high current gain and low saturation voltage with collector currents up to 3A
continuous.
Absolute Maximum Ratings*
T
A = 25°C unless otherwise noted
°C
-55 to +150
Operating and Storage Junction Temperature Range
T
J,
T
stg
A
2
Collector Current - Continuous
I
C
V
5
Emitter-Base Voltage
V
EBO
V
50
Collector-Base Voltage
V
CBO
V
50
Collector-Emitter Voltage
V
CEO
Units
FSB619
Parameter
Symbol
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
NOTES:
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150°C.
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
Thermal Characteristics
T
A = 25°C unless otherwise noted
°C/W
250
Thermal Resistance, Junction to Ambient
R
θ
JA
mW
mW/°C
500
4
Total Device Dissipation*
Derate above 25°C
P
D
FSB619
Units
Max
Characteristic
Symbol
Page 1 of 2
F
Discrete Power & Signal
Technologies
1998 Fairchild Semiconductor Corporation
SuperSOT
TM
-3 (SOT-23)
C
E
B
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FSB649 | NPN Low Saturation Transistor |
| FSB660A | PNP Low Saturation Transistor(集電極電流達2A的PNP低飽和電壓晶體管) |
| FSB660 | PNP Low Saturation Transistor(集電極電流達2A的PNP低飽和電壓晶體管) |
| FSB6726 | PNP General Purpose Amplifier |
| FSB749 | PNP Low Saturation Transistor |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FSB619_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FSB649 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FSB649_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FSB660 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FSB660_01 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:PNP Low Saturation Transistor |
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